Our
new Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition (ALD) from Picosun (Finland).
This setup realized together with A. Waag and A. Bakin from IHT,
TU-BS will be used to prepare novel metamaterials and devices.
Aus dem Antragstext: „Die hier beantragte Plasma-Enhanced
Atomic-Layer-Deposition (PE-ALD) Anlage wird eine wichtige Grundlage
für die zukünftigen Forschungsarbeiten des Instituts für Physik der
Kondensierten Materie (IPKM) und des Instituts für Halbleitertechnik
(IHT) der Technischen Universität Braunschweig darstellen. Es sollen
3- dimensionale Oxid/Metall- und Halbleiter-Nanosysteme prozessiert
werden. Die beantragte PE-ALD wird benutzt werden bei der
Herstellung komplexer und funktionalisierter Aggregate von
Nanokontakten, wie sie innerhalb der NTH School for Contacs in
Nanosystems untersucht werden. Es ist weiterhin geplant, alternative
Materialien für Solarzellen auf der Basis von oxidischen und
sulfidischen Verbindungen mit Zink und Kupfer zu evaluieren. Im
Bereich unserer Aktivitäten an GaN NanoLEDs sollen Strukturen mit
Funktionsschichten versehen werden. Im Bereich Halbleiter-Nanoporen-
und Nanodraht-Sensorstrukturen soll die Grundlage für eine
effiziente Passivierung und nachfolgende Biofunktionalisierung
geschaffen werden. Der Einsatz einer ALD mit Plasmaunterstützung
ermöglicht eine wesentlich breitere Auswahl von Präkursoren und
Reaktionstemperaturen als eine konventionelle ALD. Außerdem können
die Probenoberflächen in-situ durch Plasmabehandlung speziell
präpariert werden.“
